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CPH5517-TL-E
Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerCPH5517-TL-E
Bestellnummer2727950
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätKomplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN1A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP1A
Verlustleistung, NPN900mW
Verlustleistung, PNP900mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.200hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.200hFE
Bauform - TransistorSOT-346
Anzahl der Pins5Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN420MHz
Übergangsfrequenz, PNP420MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Alternativen für CPH5517-TL-E
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
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Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Komplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
1A
Verlustleistung, PNP
900mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
200hFE
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
420MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
1A
Verlustleistung, NPN
900mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
200hFE
Bauform - Transistor
SOT-346
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
420MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000816
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