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2SA1774G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SA1774G
Bestellnummer2535612RL
Produktpalette2NXXXX
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung150mW
Bauform - TransistorSOT-416
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz140MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.120hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette2NXXXX
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-416
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
120hFE
Produktpalette
2NXXXX
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
150mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
140MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (19-Jan-2021)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000032
Produktnachverfolgung