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2N7002LT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0295 € |
| 9000+ | 0,0238 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N7002LT1G
Bestellnummer2440761
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand7.5ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung300mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
2N7002LT1G ist ein 60V-n-Kanal-Kleinsignal-MOSFET mit einer Verlustleistung von 300mW und einem Dauer-Drainstrom von 115mA.
- Halogen-/BFR-frei
- Gate/Source-Spannung: ± 20V DC
- Drain/Gate-Spannung: 60V DC
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 417°C/W
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
115mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
7.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für 2N7002LT1G
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000185
Produktnachverfolgung