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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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3000+ | 0,107 € |
9000+ | 0,101 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
2N7002 ist ein n-Kanal-FET (Anreicherungstyp), der mit der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dadurch werden eine Minimierung des Durchgangswiderstands und eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung ermöglicht. Der FET kann in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400mA DC erfordern, und einen gepulsten Strom von bis zu 2A bereitstellen. Er eignet sich für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen wie kleine Servomotorsteuerungen und Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber.
- Design mit hoher Zelldichte für äußerst niedrigen Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Hohe Sättigungsstrombelastbarkeit
- Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
- Robust und zuverlässig
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Audio
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
115mA
SOT-23
10V
200mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
1.2ohm
Oberflächenmontage
2.1V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N7002
5 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat