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2N7002
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,475 € |
| 10+ | 0,262 € |
| 100+ | 0,167 € |
| 500+ | 0,163 € |
| 1000+ | 0,151 € |
| 5000+ | 0,111 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N7002
Bestellnummer9845313
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.2ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung200mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
2N7002 ist ein n-Kanal-Anreicherungs-FET, der mit der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dadurch werden der Durchgangswiderstand minimiert und eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung ermöglicht. Der FET kann in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400mA DC erfordern, und einen gepulsten Strom von bis zu 2A bereitstellen. Geeignet für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen wie kleine Servomotorsteuerungen und Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber.
- Design mit hoher Zelldichte für äußerst niedrigen Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Hohe Sättigungsstrombelastbarkeit
- Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
- Robust und zuverlässig
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Audio
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
115mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
200mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.2ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für 2N7002
6 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000031