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UMZ1NT1G
Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
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|---|---|
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| 1500+ | 0,0516 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUMZ1NT1G
Bestellnummer2845431RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätKomplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN200mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP200mA
Verlustleistung, NPN250mW
Verlustleistung, PNP250mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.200hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.200hFE
Bauform - TransistorSC-70
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN114MHz
Übergangsfrequenz, PNP114MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Komplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
200mA
Verlustleistung, PNP
250mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
200hFE
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
114MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
200mA
Verlustleistung, NPN
250mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
200hFE
Bauform - Transistor
SC-70
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
114MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für UMZ1NT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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