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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,223 € |
500+ | 0,196 € |
1000+ | 0,176 € |
2500+ | 0,161 € |
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Minimum: 100
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerTL431BIDR2G
Bestellnummer2845262RL
Technisches Datenblatt
SpannungsreferenzShunt, einstellbar
Produktpalette-
Referenzspannung, min.2.495V
Referenzspannung, max.36V
Anfangsgenauigkeit0.4%
Temperaturkoeffizient± 50ppm/°C
IC-Gehäuse / BauformSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-MontageOberflächenmontage
Eingangsspannung, max.36V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Referenzspannung2.495V bis 36V
Bauform - SpannungsreferenzSOIC
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Spannungsreferenz
Shunt, einstellbar
Referenzspannung, min.
2.495V
Anfangsgenauigkeit
0.4%
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Referenzspannung
2.495V bis 36V
Produktpalette
-
Referenzspannung, max.
36V
Temperaturkoeffizient
± 50ppm/°C
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Eingangsspannung, max.
36V
Betriebstemperatur, max.
85°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Bauform - Spannungsreferenz
SOIC
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000726
Produktnachverfolgung