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TF412ST5G
JFET-Transistor, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,410 € |
| 10+ | 0,287 € |
| 100+ | 0,185 € |
| 500+ | 0,139 € |
| 1000+ | 0,112 € |
| 5000+ | 0,0792 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerTF412ST5G
Bestellnummer2473421
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.3mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.1.2mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-1.5V
Bauform - TransistorSOT-883
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
1.2mA
Bauform - Transistor
SOT-883
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
3mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-1.5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000079
Produktnachverfolgung