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SMMBFJ310LT1G
HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,267 € |
| 10+ | 0,164 € |
| 100+ | 0,132 € |
| 500+ | 0,120 € |
| 1000+ | 0,114 € |
| 5000+ | 0,110 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSMMBFJ310LT1G
Bestellnummer2845411
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds25V
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung225mW
Betriebsfrequenz, min.-
Betriebsfrequenz, max.-
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
25V
Verlustleistung
225mW
Betriebsfrequenz, max.
-
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
-
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung