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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,115 € |
10+ | 0,0974 € |
100+ | 0,0678 € |
500+ | 0,0554 € |
1000+ | 0,0477 € |
5000+ | 0,0363 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSBAW56LT1G
Bestellnummer2844759
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationZweifach, gemeinsame Anode
Periodische Spitzensperrspannung70V
Durchschnittlicher Durchlassstrom200mA
Durchlassspannung, max.1.25V
Sperrverzögerungszeit6ns
Durchlassstoßstrom2A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DiodenmontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Zweifach, gemeinsame Anode
Durchschnittlicher Durchlassstrom
200mA
Sperrverzögerungszeit
6ns
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Periodische Spitzensperrspannung
70V
Durchlassspannung, max.
1.25V
Durchlassstoßstrom
2A
Bauform - Diode
SOT-23
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung