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RFP50N06
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,010 € |
| 10+ | 1,720 € |
| 100+ | 1,130 € |
| 500+ | 1,040 € |
| 1000+ | 0,965 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerRFP50N06
Bestellnummer9845771
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung131W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
RFP50N06 ist ein 60V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der das MegaFET-Verfahren nutzt. Dieses Verfahren verwendet Nenngrößen, die annähernd denen von LSI-ICs entsprechen, und bietet eine optimale Nutzung von Silizium, wodurch eine herausragende Leistung erreicht wird. Der MOSFET ist ausgelegt für Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Motortreiber und Relaistreiber. Der Transistor kann direkt von ICs betrieben werden. Dieses universell einsetzbare Produkt eignet sich für viele verschiedene Anwendungen.
- PSPICE®-Modell mit Temperaturkompensation
- Kurve für Spitzenstrom vs. Pulsweite
- UIS-Kurve
- Sperrschichttemperatur: 175°C
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
131W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für RFP50N06
5 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001814
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