RFD14N05SM9A
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,514 € |
| 500+ | 0,433 € |
| 1000+ | 0,355 € |
| 5000+ | 0,320 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The RFD14N05SM9A is a N-channel Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09770.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
50V
0.1ohm
TO-252AA
10V
48W
3Pin(s)
-
-
n-Kanal
14A
0.1ohm
Oberflächenmontage
4V
48W
175°C
-
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für RFD14N05SM9A
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat