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QSE133
Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,259 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQSE133
Bestellnummer3615132
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.880nm
Abstrahlwinkel25°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorRadial bedrahtet
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
880nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Abstrahlwinkel
25°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für QSE133
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung