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QSE113E3R0
Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,715 € |
| 10+ | 0,494 € |
| 25+ | 0,452 € |
| 50+ | 0,411 € |
| 100+ | 0,369 € |
| 500+ | 0,316 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQSE113E3R0
Bestellnummer3368606
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.880nm
Abstrahlwinkel50°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - Transistor-
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
880nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Abstrahlwinkel
50°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung