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QSD123
Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,681 € |
| 10+ | 0,471 € |
| 25+ | 0,406 € |
| 50+ | 0,341 € |
| 100+ | 0,276 € |
| 500+ | 0,270 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQSD123
Bestellnummer2453252
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.880nm
Abstrahlwinkel24°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorT-1 3/4 (5mm)
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The QSD123 is a NPN Silicon Infrared Phototransistor is suitable for QED12X/QED22X/QED23X notched emitter. It has 24° narrow reception angle and a daylight filter. Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
- High sensitivity
Anwendungen
LED-Beleuchtung
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
880nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Abstrahlwinkel
24°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000284
Produktnachverfolgung