QEE113
Infrarot-Emitter, 945 nm, 50 °, Seitliche Arretierung, 7.5 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,477 € |
| 10+ | 0,313 € |
| 25+ | 0,286 € |
| 50+ | 0,259 € |
| 100+ | 0,232 € |
| 500+ | 0,200 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The QEE113 is a 940nm GaAs Infrared LED is suitable for QSE113 photosensor. It has 50° medium wide emission angle and grey stripe on the top side. Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute maximum ratings are stress ratings only. It is suitable for use in medical electronics/devices, automation, test and measurement, building & home control.
- GaAs chip material
- High output power
Technische Spezifikationen
945nm
Seitliche Arretierung
800ns
100mA
-40°C
-
-
50°
7.5mW/Sr
800ns
1.5V
100°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat