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QED223
Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,476 € |
| 10+ | 0,327 € |
| 25+ | 0,314 € |
| 50+ | 0,301 € |
| 100+ | 0,245 € |
| 500+ | 0,189 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQED223
Bestellnummer2322566
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge890nm
Halbwertswinkel30°
Bauform - DiodeT-1 3/4 (5mm)
Strahlungsintensität (Ie)25mW/Sr
Anstiegszeit900ns
Abfallzeit tf800ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)100mA
Durchlassspannung Vf max.1.7V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.100°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The QED223 is an 880nm Infrared Light Emitter Diode encapsulated in a clear purple tinted plastic package. It is suitable for use in medical electronics/devices, automation, test and measurement, building & home control.
- Chip material - AlGaAs
- QSD123/QSD124 matched photo sensor
- 30° Medium wide emission angle
- High output power
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
890nm
Bauform - Diode
T-1 3/4 (5mm)
Anstiegszeit
900ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
100mA
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
-
Halbwertswinkel
30°
Strahlungsintensität (Ie)
25mW/Sr
Abfallzeit tf
800ns
Durchlassspannung Vf max.
1.7V
Betriebstemperatur, max.
100°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000327
Produktnachverfolgung