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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQED123
Bestellnummer2453249
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge890nm
Halbwertswinkel16°
Bauform - DiodeT-1 3/4 (5mm)
Strahlungsintensität (Ie)45mW/Sr
Anstiegszeit900ns
Abfallzeit tf800ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)100mA
Durchlassspannung Vf max.1.7V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.100°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The QED123 is an 880nm AlGaAs Infrared LED is suitable for QSD122/QSD123/QSD124 photosensor. It has 16° narrow emission angle. This product is general usage and suitable for many different applications.
- AlGaAs chip material
- High output power
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
890nm
Bauform - Diode
T-1 3/4 (5mm)
Anstiegszeit
900ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
100mA
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
-
Halbwertswinkel
16°
Strahlungsintensität (Ie)
45mW/Sr
Abfallzeit tf
800ns
Durchlassspannung Vf max.
1.7V
Betriebstemperatur, max.
100°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für QED123
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000287
Produktnachverfolgung