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NXV65HR82DS1
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 28,700 € |
| 5+ | 25,270 € |
| 10+ | 21,830 € |
| 50+ | 18,400 € |
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Minimum: 1
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28,70 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXV65HR82DS1
Bestellnummer3677747
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id26A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.073ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung126W
Verlustleistung Pd126W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
126W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.073ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
126W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.5