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NVR1P02T1G
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,176 € |
| 500+ | 0,158 € |
| 1000+ | 0,147 € |
| 5000+ | 0,116 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVR1P02T1G
Bestellnummer2724435RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.148ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung400mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
400mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.148ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für NVR1P02T1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung