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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVHL050N65S3HF
Bestellnummer3528517
ProduktpaletteSuperFET III
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 5,590 € |
10+ | 5,450 € |
100+ | 5,300 € |
500+ | 5,190 € |
1000+ | 5,090 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
5,59 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVHL050N65S3HF
Bestellnummer3528517
ProduktpaletteSuperFET III
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Bauform - TransistorTO-247LL
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung403W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSuperFET III
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
58A
Bauform - Transistor
TO-247LL
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
403W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SuperFET III
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
Produktnachverfolgung