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NTS4001NT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,0771 € |
| 1000+ | 0,0709 € |
| 5000+ | 0,0543 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTS4001NT1G
Bestellnummer1453633RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.5ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung330mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NTS4001NT1G is a single N-channel small signal MOSFET. This device is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. It is used in applications such as low-side load switch, Li-ion battery-supplied devices, cell phones, PDAs, DSC, buck converters, and level shifts.
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
- 270mA continuous drain current
- 800mA pulse drain current
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V minimum at (VGS = 0V, ID = 100µA)
- Gate-to-source leakage current is ±1µA maximum at (VDS = 0V, VGS = ±10V)
- Input capacitance is 20pF typical at (VGS = 0V, f = 1.0MHz, VDS = 5.0V)
- Turn-on delay time is 17ns typical at (VGS = 4.5V, VDD = 5V, ID = 10mA, RG = 50 ohm)
- Gate threshold temperature coefficient is -3.4mV/°C typical at ((TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to 150°C, SC-70 package
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
270mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
4V
Verlustleistung
330mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000005
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