Seite drucken

NTR4502PT1G

Name: ONSEMI NTR4502PT1G
Brand: ONSEMI
SKU: 1431308RL
Availability: InStock

Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerNTR4502PT1G

Bestellnummer1431308RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Technische Dokumentation anzeigen

Verpackungsoptionen

Gurtabschnitte

Re-Reeling

Ganze Rolle

18.147 auf Lager

Ihr Bedarf geht darüber hinaus?

Lieferung am nächsten Werktag

Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr

Menge	Preis (ohne MwSt.)
100+	0,144 €
500+	0,130 €
1500+	0,111 €

Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)

Minimum: 100

Mehrere: 5

19,40 € (ohne MwSt.)

Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an

Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen

Positionshinweis

Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.

Ihre Bestellnummer

Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.

Produktspezifikationen

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerNTR4502PT1G

Bestellnummer1431308RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Kanaltypp-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds30V

Dauer-Drainstrom Id1.95A

Drain-Source-Durchgangswiderstand0.2ohm

Bauform - TransistorSOT-23

TransistormontageOberflächenmontage

Rds(on)-Prüfspannung10V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V

Verlustleistung1.25W

Anzahl der Pins3Pin(s)

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

Qualifikation-

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Produktbeschreibung

NTR4502PT1G ist ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -30V und einem Dauer-Drainstrom von -1.95A. Dieser Baustein eignet sich für die DC/DC-Umwandlung sowie als Last-/Leistungsschalter für tragbare Geräte und Computer sowie für Notebooks, Camcoder, Digitalkameras und Akkuladeschaltungen.

Führende Planar-Technologie für niedrige Gate-Ladung/hohe Schaltfrequenz
Niedriger RDS(ON) für geringe Leitungsverluste
Oberflächenmontage, kleine Grundfläche (3 x 3mm)
Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C

Anwendungen

Power-Management, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte, Unterhaltungselektronik, Industrie

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id

1.95A

Bauform - Transistor

SOT-23

Rds(on)-Prüfspannung

10V

Verlustleistung

1.25W

Betriebstemperatur, max.

150°C

Qualifikation

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Drain-Source-Spannung Vds

30V

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.2ohm

Transistormontage

Oberflächenmontage

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

Anzahl der Pins

3Pin(s)

Produktpalette

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Technische Dokumente (3)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Simulation Model EN

Alternativen für NTR4502PT1G

1 Produkt(e) gefunden

Zugehörige Produkte

2 Produkte gefunden

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja