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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTR4501NT1G
Bestellnummer1431305RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung1.25W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell NTR4501NT1G handelt es sich um einen 20V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit führender Planar-Technologie für niedrige Gate-Ladung/hohe Schaltfrequenz. Dieser MOSFET eignet sich für die DC/DC-Umwandlung sowie als Last-/Leistungsschalter für tragbare Geräte und Computer.
- 2.5V Nennspannung für Niederspannungs-Gate-Ansteuerung
- Gate/Source-Spannung: ± 12V
Anwendungen
Power-Management, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.2A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für NTR4501NT1G
3 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000031
Produktnachverfolgung