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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTR2101PT1G
Bestellnummer1431297RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds8V
Dauer-Drainstrom Id3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.052ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung960mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The NTR2101PT1G is a P-channel Small-signal MOSFET offers -8V drain source voltage and -3.7A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, high side load switch, cellular phone, notebook, PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON)
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (3 x 3mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Anwendungen
Power-Management, Computer & Computerperipheriegeräte, Unterhaltungselektronik, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.7A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
960mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.052ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000037