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NTPF165N65S3H
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.132 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTPF165N65S3H
Bestellnummer3766223
ProduktpaletteSUPERFET III
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 4,160 € |
| 10+ | 3,100 € |
| 100+ | 2,330 € |
| 500+ | 2,020 € |
| 1000+ | 2,000 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
4,16 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTPF165N65S3H
Bestellnummer3766223
ProduktpaletteSUPERFET III
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id19A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.132ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung33W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSUPERFET III
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
19A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
33W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.132ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SUPERFET III
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung