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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT190N65S3HF
Bestellnummer3677735
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 4,810 € |
10+ | 3,400 € |
100+ | 2,560 € |
500+ | 2,400 € |
1000+ | 2,350 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
4,81 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT190N65S3HF
Bestellnummer3677735
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.159ohm
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung162W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
20A
Bauform - Transistor
PQFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
162W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.159ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
SUPERFET III FRFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung