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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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500+ | 0,722 € |
1000+ | 0,588 € |
5000+ | 0,527 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMFS6H836NT1G
Bestellnummer2981221RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0056ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0056ohm
Bauform - TransistorDFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung Pd89W
Verlustleistung89W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0056ohm
Bauform - Transistor
DFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
89W
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
74A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0056ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung
89W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361
Produktnachverfolgung