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NTMFS08N004C
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMFS08N004C
Bestellnummer2768335RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,110 € |
| 500+ | 1,780 € |
| 1000+ | 1,720 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMFS08N004C
Bestellnummer2768335RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id126A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0034ohm
Bauform - TransistorPower 56
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.1V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
126A
Bauform - Transistor
Power 56
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0034ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.1V
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung