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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTGS3443T1G
Bestellnummer1611251RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.065ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.950mV
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The NTGS3443T1G is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for power management in portable and battery-powered products, cellular and cordless telephones and PCMCIA cards.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Miniature surface-mount package
- -55 to 150°C Operating temperature range
Anwendungen
Tragbare Geräte, Unterhaltungselektronik, Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.1A
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.065ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
950mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für NTGS3443T1G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000058
Produktnachverfolgung