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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTD360N80S3Z
Bestellnummer3528500
ProduktpaletteSuperFET III
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 2,960 € |
10+ | 2,040 € |
100+ | 1,490 € |
500+ | 1,240 € |
1000+ | 1,230 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,96 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTD360N80S3Z
Bestellnummer3528500
ProduktpaletteSuperFET III
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds800V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.3ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung96W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSuperFET III
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
96W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.3ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SuperFET III
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0034
Produktnachverfolgung