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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 1,350 € |
500+ | 1,240 € |
1000+ | 1,030 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBS9D0N10MC
Bestellnummer3528499RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0078ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0078ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung Pd68W
Verlustleistung68W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0078ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
68W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0078ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Verlustleistung
68W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0034
Produktnachverfolgung