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NTBLS1D7N08H
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 3,640 € |
| 250+ | 3,540 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBLS1D7N08H
Bestellnummer3766200RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id203A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00129ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.00129ohm
Bauform - TransistorTO-LL
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.9V
Verlustleistung Pd167W
Verlustleistung167W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00129ohm
Bauform - Transistor
TO-LL
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
167W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
203A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.00129ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.9V
Verlustleistung
167W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001027
Produktnachverfolgung