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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG025N065SC1
Bestellnummer4051291RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 18 Woche(n)
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
10+ | 14,070 € |
50+ | 12,620 € |
100+ | 11,170 € |
250+ | 11,140 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
145,70 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG025N065SC1
Bestellnummer4051291RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id106A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0285ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung395W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
106A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0285ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
395W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung