Seite drucken
NTBG020N120SC1
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG020N120SC1
Bestellnummer3367851RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
465 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 27,540 € |
| 50+ | 26,990 € |
| 100+ | 26,440 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
280,40 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG020N120SC1
Bestellnummer3367851RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id98A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung468W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
468W
Produktpalette
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung