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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTB082N65S3F
Bestellnummer2895635
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 7,760 € |
5+ | 6,810 € |
10+ | 5,850 € |
50+ | 5,350 € |
100+ | 4,220 € |
250+ | 4,200 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
7,76 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTB082N65S3F
Bestellnummer2895635
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung313W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSUPERFET III FRFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
313W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SUPERFET III FRFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für NTB082N65S3F
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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