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NTA4001NT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTA4001NT1G
Bestellnummer2533175RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id238mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand3ohm
Bauform - TransistorSOT-416
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung300mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NTA4001NT1G is a single, N-channel, gate ESD protection, small signal, MOSFET. The applications include power management load switch, level shift, and portable applications such as cell phones, media players, digital cameras, PDAs, video games, handheld computers, etc.
- Low gate charge for fast switching
- Small 1.6 x 1.6 mm footprint, ESD protected gate
- Drain-to-source breakdown voltage is 20V min (VGS = 0V, ID = 100A, TJ = 25°C)
- Gate threshold voltage range from 0.5 to 1.5V (VDS = 3V, ID = 100µA, TJ = 25°C)
- Pulsed drain current is 714mA (tP <lt/>10µs, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 80mS typ (VDS = 3V, ID = 10mA, TJ = 25°C)
- Reverse transfer capacitance is 3.5pF typ (VDS = 5V, f = 1MHz, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Forward diode voltage is 0.66V typ (VGS = 0V, IS = 10mA, TJ = 25°C)
- SC-75 package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
238mA
Bauform - Transistor
SOT-416
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
300mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für NTA4001NT1G
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000072
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