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NSVMMUN2212LT1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,162 € |
| 10+ | 0,108 € |
| 100+ | 0,0666 € |
| 500+ | 0,0613 € |
| 1000+ | 0,0455 € |
| 5000+ | 0,0228 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSVMMUN2212LT1G
Bestellnummer3368904
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauer-Kollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R122kohm
Basis-Emitter-Widerstand R222kohm
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung400mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
22kohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
22kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
400mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung