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NSVJ6904DSB6T1G
JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,505 € |
| 500+ | 0,480 € |
| 1000+ | 0,454 € |
| 5000+ | 0,429 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSVJ6904DSB6T1G
Bestellnummer2981215RL
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-25V
Durchbruchspannung Vbr-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.20mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.40mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-1.8V
Bauform - TransistorCPH
Anzahl der Pins6 Pins
TransistortypJFET
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
20mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-1.8V
Anzahl der Pins
6 Pins
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr
-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
40mA
Bauform - Transistor
CPH
Transistortyp
JFET
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361