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NST3906F3T5G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 290 mW, SOT-1123, Oberflächenmontage
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| 5000+ | 0,0598 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNST3906F3T5G
Bestellnummer2533340RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauerkollektorstrom200mA
Verlustleistung290mW
Bauform - TransistorSOT-1123
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz250MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
200mA
Bauform - Transistor
SOT-1123
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
290mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
250MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für NST3906F3T5G
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000005
Produktnachverfolgung