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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,529 € |
500+ | 0,419 € |
1000+ | 0,400 € |
5000+ | 0,380 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSS40301MDR2G
Bestellnummer3368649RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.40V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN3A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN653mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.180hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN100MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
3A
Verlustleistung, NPN
653mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
180hFE
Bauform - Transistor
SOIC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
100MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000218
Produktnachverfolgung