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NSBC123TPDP6T5G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 16000+ | 0,0562 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 16000
Mehrere: 16000
899,20 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSBC123TPDP6T5G
Bestellnummer3617242
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R1-
Basis-Emitter-Widerstand R2-
Bauform - TransistorSOT-963
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung408mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.160hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
-
Bauform - Transistor
SOT-963
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
-
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
408mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
160hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung