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NRVB30H100MFST1G
Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Einfach, SOIC, 8 Pin(s), 900 mV
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,740 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,936 € |
| 500+ | 0,747 € |
| 1000+ | 0,619 € |
| 5000+ | 0,589 € |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNRVB30H100MFST1G
Bestellnummer3368094
Technisches Datenblatt
Periodische Spitzensperrspannung100V
Durchschnittlicher Durchlassstrom30A
DiodenkonfigurationEinfach
Bauform - DiodeSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Durchlassspannung, max.900mV
Durchlassstoßstrom300A
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Periodische Spitzensperrspannung
100V
Diodenkonfiguration
Einfach
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Durchlassstoßstrom
300A
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom
30A
Bauform - Diode
SOIC
Durchlassspannung, max.
900mV
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung