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NCV8461DR2G
MOSFET-Treiber, High-Side, 5V-34V Versorgungsspannung, 1.2A Ausgangsstrom, SOIC-8
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,080 € |
| 10+ | 1,460 € |
| 50+ | 1,280 € |
| 100+ | 1,030 € |
| 250+ | 0,886 € |
| 500+ | 0,808 € |
| 1000+ | 0,705 € |
| 2500+ | 0,669 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCV8461DR2G
Bestellnummer2724061
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle-
Gate-Treiber-
TreiberkonfigurationHigh-Side
LeistungsschalterMOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
Eingang-
Quellstrom-
Sinkstrom-
Versorgungsspannung, min.5V
Versorgungsspannung, max.34V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Eingabeverzögerung140µs
Ausgabeverzögerung170µs
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q100
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
-
Treiberkonfiguration
High-Side
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
-
Versorgungsspannung, min.
5V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
140µs
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Treiber
-
Leistungsschalter
MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
-
Sinkstrom
-
Versorgungsspannung, max.
34V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Ausgabeverzögerung
170µs
Qualifikation
AEC-Q100
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000266
Produktnachverfolgung