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NCV8402AMNWT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 42 V, 2 A, 0.2 ohm, DFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Standardlieferzeit des Herstellers: 19 Woche(n)
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,440 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
1.320,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCV8402AMNWT1G
Bestellnummer3616330
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds42V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.2ohm
Bauform - TransistorDFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.2V
Verlustleistung760mW
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
DFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
760mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
42V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.2ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.2V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung