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NCV57090ADWR2G
Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,780 € |
| 250+ | 1,580 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCV57090ADWR2G
Bestellnummer3677691RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle1Kanäle
Gate-TreiberIsoliert
Treiberkonfigurationisoliert
LeistungsschalterIGBT, MOSFET
Bauform - TreiberWSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformWSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangInvertierend, nicht invertierend
Quellstrom6.5A
Sinkstrom6.5A
Versorgungsspannung, min.3.1V
Versorgungsspannung, max.20V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung60ns
Ausgabeverzögerung60ns
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q100
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
1Kanäle
Treiberkonfiguration
isoliert
Bauform - Treiber
WSOIC
IC-Gehäuse / Bauform
WSOIC
Eingang
Invertierend, nicht invertierend
Sinkstrom
6.5A
Versorgungsspannung, max.
20V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
60ns
Qualifikation
AEC-Q100
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Gate-Treiber
Isoliert
Leistungsschalter
IGBT, MOSFET
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
6.5A
Versorgungsspannung, min.
3.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
60ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0112
Produktnachverfolgung