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NCP51705SMDGEVB
Evaluationsboard, NCP51705, SiC-MOSFET
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCP51705SMDGEVB
Bestellnummer3588837
Technisches Datenblatt
ProzessorherstellerOn Semiconductor
ProzessorkernNCP51705
Kit-AnwendungsbereichPower-Management
Unterart AnwendungSiCMOSFET
Lieferumfang des KitsEvaluationsboard NCP51705
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Application daughter-card for NCP51705 SiC MOSFET driver The EVB is designed on a four layer PCB and includes the NCP51705 driver and all the necessary drive circuitry. The EVB also includes an on−board digital isolator and the ability to solder any MOSFET or SiC MOSFET in a TO-247 high voltage package. The mini board brings versatility in usage means EVB can be used in current or new designs (prototypes).
- EVB does not include a power stage
- Can be used in any low−side or high−side power switching application
- For bridge configurations 2or more of these EVBs can be configured in totem pole drive configuration
Technische Spezifikationen
Prozessorhersteller
On Semiconductor
Kit-Anwendungsbereich
Power-Management
Lieferumfang des Kits
Evaluationsboard NCP51705
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern
NCP51705
Unterart Anwendung
SiCMOSFET
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovenia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovenia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.2