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NCD57252DWR2G
Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,730 € |
| 250+ | 1,540 € |
| 500+ | 1,410 € |
| 1000+ | 1,290 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCD57252DWR2G
Bestellnummer3766142RL
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-TreiberIsoliert
TreiberkonfigurationHalbbrücke
LeistungsschalterIGBT, MOSFET
Anzahl der Pins16Pin(s)
Bauform - TreiberWSOIC
IC-Gehäuse / BauformWSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom6.5A
Sinkstrom6.5A
Versorgungsspannung, min.3.3V
Versorgungsspannung, max.20V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung60ns
Ausgabeverzögerung60ns
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
Halbbrücke
Anzahl der Pins
16Pin(s)
IC-Gehäuse / Bauform
WSOIC
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
6.5A
Versorgungsspannung, max.
20V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
60ns
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Gate-Treiber
Isoliert
Leistungsschalter
IGBT, MOSFET
Bauform - Treiber
WSOIC
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
6.5A
Versorgungsspannung, min.
3.3V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
60ns
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423919
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung