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MUN5213T1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,040 € |
| 1500+ | 0,0295 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMUN5213T1G
Bestellnummer2464144RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R147kohm
Basis-Emitter-Widerstand R247kohm
Bauform - TransistorSC-70
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung310mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
47kohm
Bauform - Transistor
SC-70
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
47kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
310mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MUN5213T1G
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung