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MMSD301T1G
HF-Schottky-Diode, Barriere, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0506 € |
| 9000+ | 0,043 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
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151,80 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMSD301T1G
Bestellnummer2441424
ProduktpaletteMMSD3
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationEinfach
Sperrspannung30V
Durchlassstrom If, max.200mA
Durchlassstrom200mA
Durchlassspannung600mV
Diodenkapazität0.9pF
Bauform - DiodeSOD-123
Anzahl der Pins2 Pins
DiodenmontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.125°C
ProduktpaletteMMSD3
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- Extremely low minority carrier lifetime
- Very low capacitance
- Low reverse leakage
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Anwendungen
HF-Kommunikation, Sensortechnik, Industrie
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchlassstrom If, max.
200mA
Durchlassspannung
600mV
Bauform - Diode
SOD-123
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
MMSD3
Sperrspannung
30V
Durchlassstrom
200mA
Diodenkapazität
0.9pF
Anzahl der Pins
2 Pins
Betriebstemperatur, max.
125°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMSD301T1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung